Guangmai Technology är professionell när det gäller att göra 1W 3W gul 3535 SMD LED -chip 585nm 590nm 595nm.
Halvledargul LED -teknik har gjort genombrott
Efter 57 års utveckling har lysdioder med synligt ljus uppnått fullfärg, vilket ger människor färgglada visuella högtider och energieffektiva energibesparande ljuskällor. Men under lång tid är utvecklingen av färgglad LED -ljuseffektivitet (ljuseffektivitet) mycket obalanserad. Bland dem är ljuseffektiviteten för gul LED mycket lägre än för andra färger. Som ett resultat måste det gula ljuset med hög ljuseffektivitet erhållas genom våglängdskonvertering av fosforer. Denna" elektrisk-optisk-optisk" konverteringsteknisk lösning är för närvarande den vanliga tekniken för LED -belysning. Fosfor har emellertid inneboende brister i ljus-till-ljus-omvandlingsprocessen, såsom stor värmeförlust, stora värme- och ljusförfall och långsam respons, vilket begränsar den snabba utvecklingen av lysdioder i riktning mot högkvalitativ belysning och hög- hastighet kommunikation med synligt ljus.
Därför löser man" gult ljusgap" har blivit ett attraktivt mål inom detta område. Vilken typ av underlag, material, enhetsstruktur, chipstruktur och utrustning kan användas för att tillverka högeffektiva gula lysdioder? Det finns inget svar hemma och utomlands på länge.
I de två gula ljusmaterialsystemen, eftersom våglängden för AlGaInP ändras från rött ljus till gult ljus, ändras bandgapet från direkt till indirekt och effektiviteten sjunker kraftigt. Detta är en fysisk flaskhals; medan indiumgalliumnitrid är ett direkt bandgap, vilket är det största Svårigheten är att odla högkvalitativt, högindiuminnehållande indiumgalliumkvävebrunnmaterial, vilket är en teknisk flaskhals. Indiumkompositionen för den gula LED -kvantbrunnen är cirka 30%, vilket uppenbarligen överstiger indiumkompositionen för den blå kvantbrunnen cirka 15%. Det finns många svårigheter med tillväxten av indiumgalliumkväve med högt indiuminnehåll: låg tillväxtstemperatur orsakar ammoniaksprickor, färre kväveutrymmen, långsam atommigration och grov yta, suddiga och barriärgränssnitt med olika tjocklekar, ojämn indiumkomposition och svår indiumsegregering fasseparation, InGaN/GaN stark polarisering ger mindre överlappning av bärvågsfunktioner, och så vidare.
Nyligen publicerade forskargruppen Jiang Fengyi vid Nanchang University en artikel i Photonics Research: Efficient InGaN-baserade gula ljusemitterande dioder, som visade genombrott i design och tillverkningsteknik för LED-material med gult ljusband. Baserat på de ursprungliga GaN/Si-baserade blå LED-materialen, enhetsstruktur och chipstruktur konstruerade de nya materialstrukturer, ny tillväxtutrustning och nya processer. De omvandlade de tre stora felmatchningarna (stor överensstämmelse med termisk expansionskoefficient, bristande överensstämmelse med stort bandgap och stor ojämnhet i gitter) till tre stora fördelar.
Forskargruppen uppfann en nätbaserad metod för tillväxt av material och teknik. Ett vanligt rutnät tillverkas på underlaget för att ersätta oregelbundna sprickor, vilket eliminerar GaN/Si -spänningsackumuleringseffekten och löser problemet med sprickor som orsakas av materialet. Problemet med att inte kunna tillverka ljusemitterande chips har också fördelen att odla högpresterande indiumgalliumnitridmaterial med högt indiuminnehåll på grund av att GaN hålls under dragspänning.
Forskare har uppfunnit en kiselbaserad LED-chipstruktur med hög ljusuttagseffektivitet genom att justera nuvarande riktning, ljusemitterande position och ljusemitterande väg, som inte bara löser problemet med substratljusabsorption och elektrodblockerande ljus, utan också har fördelarna med ensidigt ljus och högljuskvalitet. Det utvecklade nya integrerade övergångsskiktet löser inte bara problemet med hög dislokationstäthet, utan använder också rationellt dislokationer för att bilda en enhetsstruktur med stora V -gropar, förbättrar håltransportbanan och förbättrar LED -effektiviteten.
På grundval av att omvandla de tre stora felmatchningarna till tre stora fördelar justerade de reaktionsgastransportvägen och avsättningsmekanismen, uppfann en tät koaxial hylsstrukturreaktionskammare och utvecklade en hög indiumkomponent som är mer gynnsam för införlivande av indium. Indiumgalliumnitridmaterialtillväxtutrustningen ökar materialets tillväxttemperatur, minskar minneseffekten och gör kvantbrunnen och barriärgränssnittet brant; drivs av strömtätheten 20A/cm2 och 3 A/cm2, 565 nm kiselbaserat gult LED-ljus Effektiviteten har ökats till 24,3% och 33,7%, motsvarande 149 lm/W respektive 192 lm/W, alltså effektivt lindra det gula gapet och lösa problemet med bristen på högeffektivt gult ljus i lysdioder i världen.
Materialstrukturen är ett kiselsubstrat indiumgalliumnitrid multipel kvantbrunnstruktur med en tredimensionell PN-övergång med stora V-gropar, och chipet är en ensidig ljusemitterande, tunnfilmskonstruktion.
Gul och bärnstensfärgad/orange färg LED -belysningseffekt
Elektriska specifikationer:
Paketstorlek:
Ansökan
Om Guangmai
Shenzhen Guangmai Technology Co, Ltd är ett elektroniskt teknikföretag som integrerar R&, D, produktion, försäljning och service. Sedan starten har företaget följt affärsfilosofin om" integritet, fokus och innovation" specialiserat sig på UV LED, djup ultraviolett LED, 265-405nm: 2835 violett, 3535 violett 1414 violett UV-modul, 6868 violett, 7070 violett, 5050 violett, 3838 lila ljus 1212 lila ljus och COB-integrerat LED lila ljus, imiterar lumen med hög effekt LED lila ljus, forskning och utveckling och produktion av speciella UV-ljuskällor. Efter oavbrutna ansträngningar härdar UV LED ultraviolett ljus, pulserande ultraviolett ljus härdning, UV LED bläckstråleskrivare, biomedicin, polisdetektering och analys av ljuskälla, växttillväxtlampa, vetenskaplig forskning multi-band ljuskälla, ultraviolett sterilisering, LED foton medicinsk behandling, ultraviolett vattenbehandling, grönsaksbearbetning, luftbearbetning etc. som huvudproduktlinje. Vårt mål är: att överleva efter kvalitet, att söka samarbete med integritet.
Datablad:
För mer information, kontakta Guangmai Tech direkt.
Du kan ladda ner databladet för 1W 3W Yellow 3535 SMD LED Chip 585nm 590nm 595nm från huvudet på denna sida.
Populära Taggar: 1w 3w gul 3535 smd led chip 585nm 590nm 595nm, Kina, tillverkare, leverantörer, fabrik, pris, billig, offert, datablad, specifikationer, specifikation
